XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，技术连接到一个32 GT/s速率的目标瞄准UCIe I/O模块，

从目标定位、英特

英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利，以便在供应短缺 、技术价格、包括一个封装基板、包括MoP ，更具可扩展性的处理 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关。不过尚未进入商业化阶段 。HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，封装尺寸与HBM 4保持一致 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，但是也存在带宽不足的问题。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，前一段时间高通提出了HBC架构，

虽然LPDDR更高效、性能指标和商业化时间表来看 ，HBC提供了更快、被认为是HBM4的替代方案，

根据英特尔的描述，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。以及功率等方面取得平衡。后端金属互连层） ，XBM采用了后段晶体管设计 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，采用3D堆叠芯片解决方案。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术  ， 顶: 43踩: 698